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南大光电:高端光刻胶国产担当 买入评级

2018-12-24 类别:公司研究 机构:国海证券 研究员:王凌涛

[摘要]

事件南大光电发布公告称,拟使用超募资金投资“年产170吨MO源和高K三甲基铝生产项目”及“02专项ArF光刻胶产品的开发与产业化项目”。


投资要点:


市场空间和集中度双重驱动,MO源盈利水平显著提升。近年来,受惠于LED产品价格持续下降,LED照明渗透率及行业整体规模不断成长,LED芯片行业自2017年以来迎来新一轮扩产高峰期。行业统计数据显示:2018年,中国MOCVD计划增加288台(450腔),且行业头部厂商的扩产竞赛仍在继续;随着miniLED、UVLED、化合物半导体产业的兴起,MO源将被注入新的活力。在下游产能不断扩充的背景下,南大光电MO源市场空间将被进一步拓宽。此外,受制于高纯MO源较高的技术壁垒以及易燃易爆的理化性质,对中小型参与者的发展空间构成某种程度上挤压,市场份额向南大光电这样的头部企业集中。我们认为,公司在该领域深耕多年且占据绝对龙头地位,无论自身技术水平还是下游客户结构都具备相当优势,有望显著受益于市场空间和市场集中度的双重驱动力,这从公司近一年来逆势增长的毛利率可得到佐证,随着此次170吨MO源和高K三甲基铝生产项目落地,公司MO源业绩将被进一步增厚。


磷烷砷烷等电子特气增长迅速,半导体材料国产化大势所趋。全椒子公司高纯磷烷、砷烷产品已实现在LED领域规模出货,且在半导体领域的认证工作也取得了长足的进展并批量出货。高纯磷烷及砷烷可用于GaAs、GaAsP等三五族化合物半导体薄膜生长,与公司MO源业务具有协同作用;高纯磷烷可以用于半导体器件中的“N”型掺杂工艺,是决定半导体器件性能的关键原材料之一。我们认为,在我国大力推进半导体产业链自主可控的背景下,相关原材料的国产化替代乃大势所趋,这将推动公司此前布局的高纯电子气体进入业绩收获期。从收入结构可见,电子气体给公司贡献的营收呈快速增长的态势,我们判断该增长势头在未来数年之内将得到很好的延续。


193nm光刻胶产业化项目是公司未来最值得期待的看点。光刻胶作为半导体工艺制程中最为核心的原材料,技术门槛极高,高端产品由日本JSR、TOK等长期垄断。按光源敏感度可以分为i线光刻胶(365nm)、KrF光刻胶(248nm)、ArF光刻胶(193nm),其中最高端的ArF光刻胶是集成电路22nm、14nm乃至10nm制程的关键,处在整个半导体原材料金字塔的顶端。由于此前我国晶圆厂数量较少,且大多处于低端制程的原因,与之配套的高端光刻胶产品几乎处于空白状态。近年来国内晶圆厂(尤其是内资先进制程线)的快速崛起,必将带动与之配套的高端光刻胶产业快速发展。南大光电在2015年参股北京科华切入集成电路248nmKrF光刻胶之后,很快于2017年启动193nmArF光刻胶开发项目,经过短短一年时间,即达到“02专项”(一期)的各项指标要求,足见公司进军高端光刻胶领域决心之坚定,研发实力之强劲。我们认为,随着公司此次ArF光刻胶产业化项目的落地,将给我国半导体产业链带来新的源头活水;此外,在02专项的加持下无论其产品研发还是客户认证进度都会大大加快,公司自身也将随之迈入全新的成长轨道。


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